• image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>FBG20N18BSH
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>FBG20N18BSH
:
:

1

$439.8800

$439.8800

10

$423.3488

$4,233.4880

image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>FBG20N18BSH
image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>FBG20N18BSH
FBG20N18BSH
FBG20N18BSH
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
EPC Space
GAN FET HEMT 200V 18A 4FSMD-B
-
Масса
51
Продукты параметры
PDF(1)
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительEPC Space
Рядe-GaN®
УпаковкаМасса
Статус продуктаACTIVE
Пакет/кейс4-SMD, No Lead
Тип монтажаSurface Mount
Рабочая Температура-55°C ~ 150°C (TJ)
ТехнологииGaNFET (Gallium Nitride)
Тип полевого транзистораN-Channel
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C18A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs28mOhm @ 18A, 5V
Vgs(th) (Макс) @ Id2.5V @ 3mA
Пакет устройств поставщика4-SMD
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)5V
ВГС (Макс)+6V, -4V
Напряжение стока к источнику (Vdss)200 V
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs7 nC @ 5 V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds900 pF @ 100 V
captcha
0
8.257295s