• image of Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов>EPC7018DC
  • image of Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов>EPC7018DC
:
:

1

$360.9648

$360.9648

10

$338.0944

$3,380.9440

image of Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов>EPC7018DC
image of Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов>EPC7018DC
EPC7018DC
EPC7018DC
Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов
EPC Space
GAN FET HEMT 100V 74A COTS 4UD
-
Масса
100
Продукты параметры
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительEPC Space
РядeGaN®
УпаковкаМасса
Статус продуктаACTIVE
Пакет/кейс4-SMD, No Lead
Тип монтажаSurface Mount
Конфигурация2 N-Channel (Half Bridge)
Рабочая Температура-55°C ~ 150°C (TJ)
ТехнологииGaNFET (Gallium Nitride)
Напряжение стока к источнику (Vdss)100V
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C70A (Tc)
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds1700pF @ 50V
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs6.5mOhm @ 70A, 5V
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs17nC @ 5V
Vgs(th) (Макс) @ Id2.5V @ 5mA
Пакет устройств поставщика4-SMD
captcha
0
4.582692s