• image of Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением>DTD543XE3TL
  • image of Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением>DTD543XE3TL
:
:

1

$0.4368

$0.4368

10

$0.3472

$3.4720

100

$0.2016

$20.1600

500

$0.1904

$95.2000

1000

$0.1344

$134.4000

3000

$0.1232

$369.6000

6000

$0.1120

$672.0000

9000

$0.1008

$907.2000

30000

$0.1008

$3,024.0000

75000

$0.0896

$6,720.0000

image of Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением>DTD543XE3TL
image of Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением>DTD543XE3TL
DTD543XE3TL
DTD543XE3TL
Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
ROHM Semiconductor
TRANS PREBIAS NPN 12V 0.5A EMT3
-
Лента и катушка (TR)
3000
Продукты параметры
PDF(1)
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительROHM Semiconductor
Ряд-
УпаковкаЛента и катушка (TR)
Статус продуктаACTIVE
Пакет/кейсSC-75, SOT-416
Тип монтажаSurface Mount
Тип транзистораNPN - Pre-Biased + Diode
Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic300mV @ 5mA, 100mA
Ток-отсечка коллектора (макс.)500nA
Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce140 @ 100mA, 2V
Пакет устройств поставщикаEMT3
Ток-Коллектор (Ic) (Макс)500 mA
Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.)12 V
Мощность - Макс.150 mW
Частота – переход260 MHz
Резистор — база (R1)4.7 kOhms
Резистор — база эмиттера (R2)10 kOhms
captcha
0
0.371594s