• image of Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением>DTC143EE3HZGTL
  • image of Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением>DTC143EE3HZGTL
DTC143EE3HZGTL
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A EMT3
-
Лента и катушка (TR)
3000
:
:

1

$0.4480

$0.4480

10

$0.3136

$3.1360

100

$0.1568

$15.6800

500

$0.1344

$67.2000

1000

$0.1008

$100.8000

3000

$0.0784

$235.2000

6000

$0.0784

$470.4000

9000

$0.0672

$604.8000

30000

$0.0672

$2,016.0000

75000

$0.0560

$4,200.0000

150000

$0.0560

$8,400.0000

image of Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением>DTC143EE3HZGTL
image of Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением>DTC143EE3HZGTL
DTC143EE3HZGTL
DTC143EE3HZGTL
Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
ROHM Semiconductor
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A EMT3
-
Лента и катушка (TR)
2225
Продукты параметры
PDF(1)
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительROHM Semiconductor
Ряд-
УпаковкаЛента и катушка (TR)
Статус продуктаACTIVE
Пакет/кейсSC-75, SOT-416
Тип монтажаSurface Mount
Тип транзистораNPN - Pre-Biased
Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic300mV @ 500µA, 10mA
Ток-отсечка коллектора (макс.)500nA
Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce30 @ 10mA, 5V
Пакет устройств поставщикаEMT3
ОценкаAutomotive
Ток-Коллектор (Ic) (Макс)100 mA
Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.)50 V
Мощность - Макс.150 mW
Частота – переход250 MHz
Резистор — база (R1)4.7 kOhms
Резистор — база эмиттера (R2)4.7 kOhms
КвалификацияAEC-Q101
captcha
0
0.468775s