• image of Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением>DTC124GU3T106
  • image of Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением>DTC124GU3T106
:
:

1

$0.4256

$0.4256

10

$0.3584

$3.5840

25

$0.2912

$7.2800

100

$0.1904

$19.0400

250

$0.1456

$36.4000

500

$0.1232

$61.6000

1000

$0.0784

$78.4000

3000

$0.0784

$235.2000

6000

$0.0672

$403.2000

15000

$0.0560

$840.0000

30000

$0.0560

$1,680.0000

75000

$0.0448

$3,360.0000

150000

$0.0448

$6,720.0000

image of Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением>DTC124GU3T106
image of Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением>DTC124GU3T106
DTC124GU3T106
DTC124GU3T106
Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
ROHM Semiconductor
NPN, SOT-323, R2 ALONE TYPE
-
Лента и катушка (TR)
3000
Продукты параметры
PDF(1)
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительROHM Semiconductor
Ряд-
УпаковкаЛента и катушка (TR)
Статус продуктаACTIVE
Пакет/кейсSC-70, SOT-323
Тип монтажаSurface Mount
Тип транзистораNPN - Pre-Biased
Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic300mV @ 500µA, 10mA
Ток-отсечка коллектора (макс.)500nA (ICBO)
Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce56 @ 5mA, 5V
Пакет устройств поставщикаUMT3
Ток-Коллектор (Ic) (Макс)100 mA
Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.)50 V
Мощность - Макс.200 mW
Частота – переход250 MHz
Резистор — база (R1)22 kOhms
captcha
0
0.858994s