• image of Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением>DTC123EE3TL
  • image of Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением>DTC123EE3TL
:
:

1

$0.4032

$0.4032

10

$0.2800

$2.8000

100

$0.1456

$14.5600

500

$0.1120

$56.0000

1000

$0.0896

$89.6000

3000

$0.0672

$201.6000

6000

$0.0672

$403.2000

9000

$0.0560

$504.0000

30000

$0.0560

$1,680.0000

75000

$0.0448

$3,360.0000

150000

$0.0448

$6,720.0000

image of Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением>DTC123EE3TL
image of Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением>DTC123EE3TL
DTC123EE3TL
DTC123EE3TL
Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
ROHM Semiconductor
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A EMT3
-
Лента и катушка (TR)
2980
1
Продукты параметры
PDF(1)
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительROHM Semiconductor
РядDTA123E
УпаковкаЛента и катушка (TR)
Статус продуктаACTIVE
Пакет/кейсSC-75, SOT-416
Тип монтажаSurface Mount
Тип транзистораPNP - Pre-Biased
Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic300mV @ 500µA, 10mA
Ток-отсечка коллектора (макс.)500nA (ICBO)
Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce68 @ 5mA, 5V
Пакет устройств поставщикаEMT3
Ток-Коллектор (Ic) (Макс)100 mA
Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.)50 V
Мощность - Макс.150 mW
Частота – переход250 MHz
Резистор — база (R1)22 kOhms
Резистор — база эмиттера (R2)47 kOhms
captcha
0
0.564577s