• image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>DMTH10H009LFGQ-13
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>DMTH10H009LFGQ-13
DMTH10H009LFGQ-13
MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI33
-
Лента и катушка (TR)
3000
:
:

3000

$0.6272

$1,881.6000

6000

$0.5936

$3,561.6000

15000

$0.5712

$8,568.0000

image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>DMTH10H009LFGQ-13
image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>DMTH10H009LFGQ-13
DMTH10H009LFGQ-13
DMTH10H009LFGQ-13
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI33
-
Лента и катушка (TR)
0
1
Продукты параметры
PDF(1)
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительZetex Semiconductors (Diodes Inc.)
Ряд-
УпаковкаЛента и катушка (TR)
Статус продуктаACTIVE
Пакет/кейс8-PowerVDFN
Тип монтажаSurface Mount
Рабочая Температура-55°C ~ 175°C (TJ)
ТехнологииMOSFET (Metal Oxide)
Тип полевого транзистораN-Channel
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C12A (Ta), 46A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs8.5mOhm @ 20A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс.)2.5W (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Макс) @ Id2.5V @ 250µA
Пакет устройств поставщикаPOWERDI3333-8
ОценкаAutomotive
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)4.5V, 10V
ВГС (Макс)±20V
Напряжение стока к источнику (Vdss)100 V
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs41 nC @ 10 V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds2361 pF @ 50 V
КвалификацияAEC-Q101
captcha
0
0.501077s