• image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>DMT35M4LPSW-13
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>DMT35M4LPSW-13
DMT35M4LPSW-13
MOSFET BVDSS: 25V~30V POWERDI506
-
Лента и катушка (TR)
2500
:
:

2500

$0.2576

$644.0000

5000

$0.2352

$1,176.0000

12500

$0.2240

$2,800.0000

25000

$0.2128

$5,320.0000

image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>DMT35M4LPSW-13
image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>DMT35M4LPSW-13
DMT35M4LPSW-13
DMT35M4LPSW-13
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
MOSFET BVDSS: 25V~30V POWERDI506
-
Лента и катушка (TR)
0
1
Продукты параметры
PDF(1)
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительZetex Semiconductors (Diodes Inc.)
Ряд-
УпаковкаЛента и катушка (TR)
Статус продуктаACTIVE
Пакет/кейс8-PowerTDFN
Тип монтажаSurface Mount, Wettable Flank
Рабочая Температура-55°C ~ 150°C (TJ)
ТехнологииMOSFET (Metal Oxide)
Тип полевого транзистораN-Channel
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C18.9A (Ta), 71.1A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs5.5mOhm @ 20A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс.)1.5W (Ta)
Vgs(th) (Макс) @ Id2.5V @ 250µA
Пакет устройств поставщикаPowerDI5060-8 (Type UX)
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)4.5V, 10V
ВГС (Макс)±20V
Напряжение стока к источнику (Vdss)30 V
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs16 nC @ 10 V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds1029 pF @ 15 V
captcha
0
0.489407s