• image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>DI110N04PQ
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>DI110N04PQ
:
:

5000

$0.4032

$2,016.0000

image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>DI110N04PQ
image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>DI110N04PQ
DI110N04PQ
DI110N04PQ
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Diotec Semiconductor
IC
-
Масса
0
Продукты параметры
PDF(1)
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительDiotec Semiconductor
Ряд-
УпаковкаМасса
Статус продуктаACTIVE
Пакет/кейс8-PowerTDFN
Тип монтажаSurface Mount
Рабочая Температура-55°C ~ 175°C (TJ)
ТехнологииMOSFET (Metal Oxide)
Тип полевого транзистораN-Channel
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C110A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs2.5mOhm @ 23A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс.)55.5W (Tc)
Vgs(th) (Макс) @ Id2.5V @ 250µA
Пакет устройств поставщика8-QFN (5x6)
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)4.5V, 10V
ВГС (Макс)±20V
Напряжение стока к источнику (Vdss)40 V
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs48 nC @ 10 V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds2980 pF @ 25 V
captcha
0
0.724591s