• image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>DI072N06PT
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>DI072N06PT
:
:

5000

$0.3472

$1,736.0000

image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>DI072N06PT
image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>DI072N06PT
DI072N06PT
DI072N06PT
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Diotec Semiconductor
IC
-
Масса
0
Продукты параметры
PDF(1)
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительDiotec Semiconductor
Ряд-
УпаковкаМасса
Статус продуктаACTIVE
Пакет/кейс8-PowerVDFN
Тип монтажаSurface Mount
Рабочая Температура-55°C ~ 150°C (TJ)
ТехнологииMOSFET (Metal Oxide)
Тип полевого транзистораN-Channel
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C72A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs4.8mOhm @ 20A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс.)43W (Tc)
Vgs(th) (Макс) @ Id2.5V @ 250µA
Пакет устройств поставщика8-QFN (3x3)
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)4.5V, 10V
ВГС (Макс)±20V
Напряжение стока к источнику (Vdss)65 V
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs35 nC @ 10 V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds1990 pF @ 30 V
captcha
0
0.429014s