• image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>DI035P02PT
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>DI035P02PT
:
:

5000

$0.3024

$1,512.0000

image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>DI035P02PT
image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>DI035P02PT
DI035P02PT
DI035P02PT
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Diotec Semiconductor
IC
-
Масса
0
Продукты параметры
PDF(1)
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительDiotec Semiconductor
Ряд-
УпаковкаМасса
Статус продуктаACTIVE
Пакет/кейс8-PowerVDFN
Тип монтажаSurface Mount
Рабочая Температура-55°C ~ 150°C (TJ)
ТехнологииMOSFET (Metal Oxide)
Тип полевого транзистораP-Channel
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C35A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs3.9mOhm @ 20A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс.)52W (Tc)
Vgs(th) (Макс) @ Id1.2V @ 250µA
Пакет устройств поставщика8-QFN (3x3)
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)2.5V, 10V
ВГС (Макс)±12V
Напряжение стока к источнику (Vdss)20 V
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs58 nC @ 10 V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds6850 pF @ 10 V
captcha
0
0.675180s