• image of Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов>DI016N06PQ2-AQ
  • image of Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов>DI016N06PQ2-AQ
:
:

5000

$0.2800

$1,400.0000

image of Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов>DI016N06PQ2-AQ
image of Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов>DI016N06PQ2-AQ
DI016N06PQ2-AQ
DI016N06PQ2-AQ
Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов
Diotec Semiconductor
IC
-
Масса
0
Продукты параметры
PDF(1)
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительDiotec Semiconductor
Ряд-
УпаковкаМасса
Статус продуктаACTIVE
Пакет/кейс8-PowerTDFN
Тип монтажаSurface Mount
Конфигурация2 N-Channel
Рабочая Температура-55°C ~ 150°C (TJ)
ТехнологииMOSFET (Metal Oxide)
Мощность - Макс.16.7W (Tc)
Напряжение стока к источнику (Vdss)60V
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C16A (Tc)
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds1260pF @ 30V
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs33mOhm @ 15A, 10V
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs19nC @ 10V
Особенность полевого транзистораLogic Level Gate
Vgs(th) (Макс) @ Id2.5V @ 250µA
Пакет устройств поставщикаTDSON-8-4
ОценкаAutomotive
КвалификацияAEC-Q101
captcha
0
0.800857s