• image of Память>BY25Q80BSTIG(R)
  • image of Память>BY25Q80BSTIG(R)
BY25Q80BSTIG(R)
8 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -40
-
Лента и катушка (TR)
4000
:
:

1

$0.4928

$0.4928

10

$0.4144

$4.1440

25

$0.3920

$9.8000

100

$0.3136

$31.3600

250

$0.2912

$72.8000

500

$0.2464

$123.2000

1000

$0.1904

$190.4000

4000

$0.1680

$672.0000

8000

$0.1568

$1,254.4000

12000

$0.1456

$1,747.2000

28000

$0.1456

$4,076.8000

image of Память>BY25Q80BSTIG(R)
image of Память>BY25Q80BSTIG(R)
BY25Q80BSTIG(R)
BY25Q80BSTIG(R)
Память
BYTe Semiconductor
8 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -40
-
Лента и катушка (TR)
4000
1
Продукты параметры
PDF(1)
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительBYTe Semiconductor
Ряд-
УпаковкаЛента и катушка (TR)
Статус продуктаACTIVE
Пакет/кейс8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Тип монтажаSurface Mount
Объем памяти8Mbit
Тип памятиNon-Volatile
Рабочая Температура-40°C ~ 85°C (TA)
Напряжение питания2.7V ~ 3.6V
ТехнологииFLASH - NOR (SLC)
Тактовая частота108 MHz
Формат памятиFLASH
Пакет устройств поставщика8-SOP
Время цикла записи — Word, Page50µs, 2.4ms
Интерфейс памятиSPI - Quad I/O, QPI
Время доступа7 ns
Организация памяти1M x 8
captcha
0
0.607082s