• image of Память>BY25Q80BSSIG(R)
  • image of Память>BY25Q80BSSIG(R)
BY25Q80BSSIG(R)
8 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -40
-
Лента и катушка (TR)
2000
:
:

1

$0.5264

$0.5264

10

$0.4480

$4.4800

25

$0.4256

$10.6400

100

$0.3360

$33.6000

250

$0.3136

$78.4000

500

$0.2688

$134.4000

1000

$0.2016

$201.6000

2000

$0.1904

$380.8000

6000

$0.1792

$1,075.2000

10000

$0.1680

$1,680.0000

50000

$0.1456

$7,280.0000

image of Память>BY25Q80BSSIG(R)
image of Память>BY25Q80BSSIG(R)
BY25Q80BSSIG(R)
BY25Q80BSSIG(R)
Память
BYTe Semiconductor
8 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -40
-
Лента и катушка (TR)
4000
1
Продукты параметры
PDF(1)
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительBYTe Semiconductor
Ряд-
УпаковкаЛента и катушка (TR)
Статус продуктаACTIVE
Пакет/кейс8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Тип монтажаSurface Mount
Объем памяти8Mbit
Тип памятиNon-Volatile
Рабочая Температура-40°C ~ 85°C (TA)
Напряжение питания2.7V ~ 3.6V
ТехнологииFLASH - NOR (SLC)
Тактовая частота108 MHz
Формат памятиFLASH
Пакет устройств поставщика8-SOP
Время цикла записи — Word, Page50µs, 2.4ms
Интерфейс памятиSPI - Quad I/O, QPI
Время доступа7 ns
Организация памяти1M x 8
captcha
0
0.688035s