• image of Память>BY25Q40BSTIG(R)
  • image of Память>BY25Q40BSTIG(R)
BY25Q40BSTIG(R)
4 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -40
-
Лента и катушка (TR)
4000
:
:

1

$0.5488

$0.5488

10

$0.4480

$4.4800

25

$0.4032

$10.0800

100

$0.3024

$30.2400

250

$0.2800

$70.0000

500

$0.2240

$112.0000

1000

$0.1680

$168.0000

4000

$0.1568

$627.2000

8000

$0.1456

$1,164.8000

12000

$0.1344

$1,612.8000

28000

$0.1232

$3,449.6000

image of Память>BY25Q40BSTIG(R)
image of Память>BY25Q40BSTIG(R)
BY25Q40BSTIG(R)
BY25Q40BSTIG(R)
Память
BYTe Semiconductor
4 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -40
-
Лента и катушка (TR)
4000
1
Продукты параметры
PDF(1)
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительBYTe Semiconductor
Ряд-
УпаковкаЛента и катушка (TR)
Статус продуктаACTIVE
Пакет/кейс8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Тип монтажаSurface Mount
Объем памяти4Mbit
Тип памятиNon-Volatile
Рабочая Температура-40°C ~ 85°C (TA)
Напряжение питания2.7V ~ 3.6V
ТехнологииFLASH - NOR (SLC)
Тактовая частота108 MHz
Формат памятиFLASH
Пакет устройств поставщика8-SOP
Время цикла записи — Word, Page50µs, 2.4ms
Интерфейс памятиSPI - Quad I/O, QPI
Время доступа7 ns
Организация памяти512K x 8
captcha
0
0.583544s