• image of Память>BY25Q32ESWIG(R)
  • image of Память>BY25Q32ESWIG(R)
BY25Q32ESWIG(R)
32 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -4
-
Лента и катушка (TR)
3000
:
:

1

$0.9072

$0.9072

10

$0.8064

$8.0640

25

$0.7504

$18.7600

100

$0.6160

$61.6000

250

$0.5712

$142.8000

500

$0.4816

$240.8000

1000

$0.3920

$392.0000

3000

$0.3472

$1,041.6000

6000

$0.3248

$1,948.8000

15000

$0.3136

$4,704.0000

30000

$0.3024

$9,072.0000

image of Память>BY25Q32ESWIG(R)
image of Память>BY25Q32ESWIG(R)
BY25Q32ESWIG(R)
BY25Q32ESWIG(R)
Память
BYTe Semiconductor
32 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -4
-
Лента и катушка (TR)
0
1
Продукты параметры
PDF(1)
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительBYTe Semiconductor
Ряд-
УпаковкаЛента и катушка (TR)
Статус продуктаACTIVE
Пакет/кейс8-WDFN Exposed Pad
Тип монтажаSurface Mount
Объем памяти32Mbit
Тип памятиNon-Volatile
Рабочая Температура-40°C ~ 85°C (TA)
Напряжение питания2.7V ~ 3.6V
ТехнологииFLASH - NOR (SLC)
Тактовая частота120 MHz
Формат памятиFLASH
Пакет устройств поставщика8-WSON (5x6)
Время цикла записи — Word, Page50µs, 2.4ms
Интерфейс памятиSPI - Quad I/O
Время доступа11.5 ns
Организация памяти4M x 8
captcha
0
0.935894s