• image of Память>BY25Q128ESWIG(R)
  • image of Память>BY25Q128ESWIG(R)
BY25Q128ESWIG(R)
128 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -
-
Лента и катушка (TR)
3000
:
:

1

$1.7584

$1.7584

10

$1.5680

$15.6800

25

$1.4896

$37.2400

100

$1.2208

$122.0800

250

$1.1424

$285.6000

500

$1.0080

$504.0000

1000

$0.7952

$795.2000

3000

$0.7504

$2,251.2000

6000

$0.7056

$4,233.6000

15000

$0.6832

$10,248.0000

image of Память>BY25Q128ESWIG(R)
image of Память>BY25Q128ESWIG(R)
BY25Q128ESWIG(R)
BY25Q128ESWIG(R)
Память
BYTe Semiconductor
128 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -
-
Лента и катушка (TR)
2999
1
Продукты параметры
PDF(1)
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительBYTe Semiconductor
Ряд-
УпаковкаЛента и катушка (TR)
Статус продуктаACTIVE
Пакет/кейс8-WDFN Exposed Pad
Тип монтажаSurface Mount
Объем памяти128Mbit
Тип памятиNon-Volatile
Рабочая Температура-40°C ~ 85°C (TA)
Напряжение питания2.7V ~ 3.6V
ТехнологииFLASH - NOR (SLC)
Тактовая частота120 MHz
Формат памятиFLASH
Пакет устройств поставщика8-WSON (5x6)
Время цикла записи — Word, Page60µs, 2.4ms
Интерфейс памятиSPI - Quad I/O
Время доступа7.5 ns
Организация памяти16M x 8
captcha
0
8.582703s