• image of Память>BY25Q128ASWIG(R)
  • image of Память>BY25Q128ASWIG(R)
BY25Q128ASWIG(R)
128 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -
-
Лента и катушка (TR)
3000
:
:

3000

$0.9296

$2,788.8000

6000

$0.8960

$5,376.0000

image of Память>BY25Q128ASWIG(R)
image of Память>BY25Q128ASWIG(R)
BY25Q128ASWIG(R)
BY25Q128ASWIG(R)
Память
BYTe Semiconductor
128 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -
-
Лента и катушка (TR)
0
1
Продукты параметры
PDF(1)
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительBYTe Semiconductor
Ряд-
УпаковкаЛента и катушка (TR)
Статус продуктаACTIVE
Пакет/кейс8-WDFN Exposed Pad
Тип монтажаSurface Mount
Объем памяти128Mbit
Тип памятиNon-Volatile
Рабочая Температура-40°C ~ 85°C (TA)
Напряжение питания2.7V ~ 3.6V
ТехнологииFLASH - NOR (SLC)
Тактовая частота108 MHz
Формат памятиFLASH
Пакет устройств поставщика8-WSON (5x6)
Время цикла записи — Word, Page50µs, 2.4ms
Интерфейс памятиSPI - Quad I/O
Время доступа7 ns
Организация памяти16M x 8
captcha
0
0.692116s