• image of Память>BY25Q128ASSJG(R)
  • image of Память>BY25Q128ASSJG(R)
BY25Q128ASSJG(R)
128 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -
-
Лента и катушка (TR)
2000
:
:

4000

$0.9184

$3,673.6000

6000

$0.8736

$5,241.6000

10000

$0.8400

$8,400.0000

image of Память>BY25Q128ASSJG(R)
image of Память>BY25Q128ASSJG(R)
BY25Q128ASSJG(R)
BY25Q128ASSJG(R)
Память
BYTe Semiconductor
128 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -
-
Лента и катушка (TR)
0
1
Продукты параметры
PDF(1)
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительBYTe Semiconductor
Ряд-
УпаковкаЛента и катушка (TR)
Статус продуктаACTIVE
Пакет/кейс8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Тип монтажаSurface Mount
Объем памяти128Mbit
Тип памятиNon-Volatile
Рабочая Температура-40°C ~ 105°C (TA)
Напряжение питания2.7V ~ 3.6V
ТехнологииFLASH - NOR (SLC)
Тактовая частота108 MHz
Формат памятиFLASH
Пакет устройств поставщика8-SOP
Время цикла записи — Word, Page50µs, 2.4ms
Интерфейс памятиSPI - Quad I/O
Время доступа7 ns
Организация памяти16M x 8
captcha
0
0.469589s