• image of Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов>BSO612CV
  • image of Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов>BSO612CV
BSO612CV
MOSFET N/P-CH 60V 3A/2A 8DSO
-
Лента и катушка (TR)
2500
image of Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов>BSO612CV
image of Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов>BSO612CV
BSO612CV
BSO612CV
Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов
IR (Infineon Technologies)
MOSFET N/P-CH 60V 3A/2A 8DSO
-
Лента и катушка (TR)
0
Продукты параметры
PDF(1)
PDF(2)
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительIR (Infineon Technologies)
РядSIPMOS®
УпаковкаЛента и катушка (TR)
Статус продуктаOBSOLETE
Пакет/кейс8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Тип монтажаSurface Mount
КонфигурацияN and P-Channel
Рабочая Температура-55°C ~ 150°C (TJ)
ТехнологииMOSFET (Metal Oxide)
Мощность - Макс.2W
Напряжение стока к источнику (Vdss)60V
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C3A, 2A
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds340pF @ 25V
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs120mOhm @ 3A, 10V
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs15.5nC @ 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id4V @ 20µA
Пакет устройств поставщикаPG-DSO-8
captcha
0
0.550060s