• image of Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов>BSO203PNTMA1
  • image of Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов>BSO203PNTMA1
BSO203PNTMA1
MOSFET 2P-CH 20V 8.2A 8DSO
-
Лента и катушка (TR)
2500
image of Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов>BSO203PNTMA1
image of Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов>BSO203PNTMA1
BSO203PNTMA1
BSO203PNTMA1
Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов
IR (Infineon Technologies)
MOSFET 2P-CH 20V 8.2A 8DSO
-
Лента и катушка (TR)
0
Продукты параметры
PDF(1)
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительIR (Infineon Technologies)
РядOptiMOS™
УпаковкаЛента и катушка (TR)
Статус продуктаOBSOLETE
Пакет/кейс8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Тип монтажаSurface Mount
Конфигурация2 P-Channel (Dual)
Рабочая Температура-55°C ~ 150°C (TJ)
ТехнологииMOSFET (Metal Oxide)
Мощность - Макс.2W
Напряжение стока к источнику (Vdss)20V
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C8.2A
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds2242pF @ 15V
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs21mOhm @ 8.2A, 4.5V
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs48.6nC @ 4.5V
Особенность полевого транзистораLogic Level Gate
Vgs(th) (Макс) @ Id1.2V @ 100µA
Пакет устройств поставщикаPG-DSO-8
captcha
0
0.560531s