• image of Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов>BSD223P
  • image of Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов>BSD223P
BSD223P
MOSFET 2P-CH 20V 0.39A SOT363
-
Лента и катушка (TR)
10000
image of Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов>BSD223P
image of Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов>BSD223P
BSD223P
BSD223P
Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов
IR (Infineon Technologies)
MOSFET 2P-CH 20V 0.39A SOT363
-
Лента и катушка (TR)
0
Продукты параметры
PDF(1)
PDF(2)
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительIR (Infineon Technologies)
РядOptiMOS™
УпаковкаЛента и катушка (TR)
Статус продуктаOBSOLETE
Пакет/кейс6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Тип монтажаSurface Mount
Конфигурация2 P-Channel (Dual)
Рабочая Температура-55°C ~ 150°C (TJ)
ТехнологииMOSFET (Metal Oxide)
Мощность - Макс.250mW
Напряжение стока к источнику (Vdss)20V
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C390mA
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds56pF @ 15V
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs1.2Ohm @ 390mA, 4.5V
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs0.62nC @ 4.5V
Особенность полевого транзистораLogic Level Gate
Vgs(th) (Макс) @ Id1.2V @ 1.5µA
Пакет устройств поставщикаPG-SOT363-PO
captcha
0
0.503931s