• image of Биполярные транзисторные матрицы>BC817BPN
  • image of Биполярные транзисторные матрицы>BC817BPN
:
:

3000

$0.0560

$168.0000

image of Биполярные транзисторные матрицы>BC817BPN
image of Биполярные транзисторные матрицы>BC817BPN
BC817BPN
BC817BPN
Биполярные транзисторные матрицы
Diotec Semiconductor
IC
-
Масса
0
Продукты параметры
PDF(1)
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительDiotec Semiconductor
Ряд-
УпаковкаМасса
Статус продуктаACTIVE
Пакет/кейсSOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Тип монтажаSurface Mount
Тип транзистора1 NPN, 1 PNP
Рабочая Температура-55°C ~ 150°C (TJ)
Мощность - Макс.300mW
Ток-Коллектор (Ic) (Макс)500mA
Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.)45V
Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic700mV @ 50mA, 500mA
Ток-отсечка коллектора (макс.)100nA (ICBO)
Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce160 @ 100mA, 1V
Частота – переход100MHz, 80MHz
Пакет устройств поставщикаSOT-26
captcha
0
0.683366s