• image of Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов>ALD110808APCL
  • image of Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов>ALD110808APCL
:
:

50

$10.2928

$514.6400

image of Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов>ALD110808APCL
image of Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов>ALD110808APCL
ALD110808APCL
ALD110808APCL
Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов
Advanced Linear Devices, Inc.
MOSFET 4N-CH 10.6V 16DIP
-
Трубка
0
1
Продукты параметры
PDF(1)
PDF(2)
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительAdvanced Linear Devices, Inc.
РядEPAD®
УпаковкаТрубка
Статус продуктаACTIVE
Пакет/кейс16-DIP (0.300", 7.62mm)
Тип монтажаThrough Hole
Конфигурация4 N-Channel, Matched Pair
Рабочая Температура0°C ~ 70°C (TJ)
ТехнологииMOSFET (Metal Oxide)
Мощность - Макс.500mW
Напряжение стока к источнику (Vdss)10.6V
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C12mA, 3mA
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds2.5pF @ 5V
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs500Ohm @ 4.8V
Vgs(th) (Макс) @ Id810mV @ 1µA
Пакет устройств поставщика16-PDIP
captcha
0
0.464568s