• image of РЧ полевые транзисторы, МОП-транзисторы>A5G21H605W19NR3
  • image of РЧ полевые транзисторы, МОП-транзисторы>A5G21H605W19NR3
A5G21H605W19NR3
RF MOSFET LDMOS 30V ACP1230S-4
-
Лента и катушка (TR)
1
image of РЧ полевые транзисторы, МОП-транзисторы>A5G21H605W19NR3
image of РЧ полевые транзисторы, МОП-транзисторы>A5G21H605W19NR3
A5G21H605W19NR3
A5G21H605W19NR3
РЧ полевые транзисторы, МОП-транзисторы
NXP Semiconductors
RF MOSFET LDMOS 30V ACP1230S-4
-
Лента и катушка (TR)
0
Продукты параметры
PDF(1)
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительNXP Semiconductors
Ряд-
УпаковкаЛента и катушка (TR)
Статус продуктаACTIVE
Пакет/кейсOM-780-4S4S
Тип монтажаSurface Mount
Частота2.11GHz ~ 2.2GHz
Выходная мощность85W
Прирост15.1dB
ТехнологииGaN
Пакет устройств поставщикаOM-780-4S4S
Напряжение - номинальное125 V
Напряжение - Тест48 V
Текущий — Тест300 mA
captcha
0
0.672460s