• image of Одиночные биполярные транзисторы>2N3507
  • image of Одиночные биполярные транзисторы>2N3507
image of Одиночные биполярные транзисторы>2N3507
image of Одиночные биполярные транзисторы>2N3507
2N3507
2N3507
Одиночные биполярные транзисторы
Central Semiconductor
2N3507
-
Масса
0
Продукты параметры
PDF(1)
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительCentral Semiconductor
Ряд-
УпаковкаМасса
Статус продуктаOBSOLETE
Пакет/кейсTO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Тип монтажаThrough Hole
Тип транзистораPNP
Рабочая Температура-65°C ~ 200°C (TJ)
Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic1.5V @ 250mA, 2.5A
Ток-отсечка коллектора (макс.)1µA
Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce35 @ 500mA, 1V
Частота – переход3MHz
Пакет устройств поставщикаTO-39
Ток-Коллектор (Ic) (Макс)3 A
Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.)50 V
Мощность - Макс.1 W
captcha
0
0.688009s