IRF7106

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IRF7106

零件编号：

IRF7106

产品分类：

FET、MOSFET 阵列

制造商：

Cambridge GaN Devices

描述：

MOSFET N/P-CH 20V 3A/2.5A 8SO

封装：

Tube

包装：

数量：

1600

RoHS 状态：

NO

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产品参数

安装类型

Surface Mount

包装/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

供应商设备包

8-SO

技术

MOSFET (Metal Oxide)

配置

N and P-Channel

Vgs(th)（最大值）@Id

1V @ 250µA

漏源电压 (Vdss)

20V

功率 - 最大

2W

电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C

3A, 2.5A

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

25nC @ 10V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

300pF @ 15V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

125mOhm @ 1A, 10V

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