TPD3215M

Главная страница Продуктовый центр Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы полевые транзисторы, МОП-транзисторы Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов

TPD3215M

Номер запчасти

TPD3215M

Классификация продуктов

Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов

Производитель

PermaSafe Surface and Air Sanitation Solutions

Описание

GANFET 2N-CH 600V 70A MODULE

Пакет

Упаковка

Количество

1600

Состояние RoHS

PDF：

Запрос цены

Запасы

Количество

Отправить запрос

Количество

Цены

Общая стоимость

Получение информации о предложениях

Параметры продукции

Тип монтажа

Through Hole

Пакет/кейс

Module

Рабочая Температура

-40°C ~ 150°C (TJ)

Пакет устройств поставщика

Module

Конфигурация

2 N-Channel (Half Bridge)

Технологии

GaNFET (Gallium Nitride)

Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C

70A (Tc)

Напряжение стока к источнику (Vdss)

600V

Мощность - Макс.

470W

Rds On (Max) @ Id, Vgs

34mOhm @ 30A, 8V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

28nC @ 8V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

2260pF @ 100V

Новейшие продукты

Cambridge GaN Devices

IRF7106

MOSFET N/P-CH 20V 3A/2.5A 8SO

Узнать больше

Cambridge GaN Devices

IRF7102

MOSFET 2N-CH 50V 2A 8SO

Узнать больше

Accessories for America

ZDM4206NTA

MOSFET 2N-CH 60V 1A SM8

Узнать больше

Accessories for America

ZDM4306NTA

MOSFET 2N-CH 60V 2A SOT-223-8

Узнать больше

CHAIR MASTER

NDC7002N

MOSFET 2N-CH 50V 0.51A SSOT6

Узнать больше

CHAIR MASTER

NDC7003P

MOSFET 2P-CH 60V 0.34A SSOT6

Узнать больше

CHAIR MASTER

NDC7001C

MOSFET N/P-CH 60V 0.51A SSOT6

Узнать больше

CHAIR MASTER

NDM3000

MOSFET 3N/3P-CH 30V 3A 16SOIC

Узнать больше

contact@fastechnic.ru

Fastechnic ЛИМИТЕД

Адрес:Мастериала 60, 3/F, блок А, промышленный центр Восточного Солнца №16 Шинг Ип Стрит Коулун Гонконг

Контактный номер: Почтовый ящик：contact@fastechnic.ru

Сканировать QR-код для мобильных