MII100-12A3

Главная страница Продуктовый центр Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы БТИЗ БТИЗ-модули

MII100-12A3

Номер запчасти

MII100-12A3

Классификация продуктов

БТИЗ-модули

Производитель

Delevan

Описание

IGBT MODULE 1200V 135A 560W Y4M5

Пакет

Упаковка

Количество

1600

Состояние RoHS

PDF：

Запрос цены

Запасы

Количество

Отправить запрос

Количество

Цены

Общая стоимость

Получение информации о предложениях

Параметры продукции

Тип монтажа

Chassis Mount

Рабочая Температура

-40°C ~ 150°C (TJ)

Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.)

1200 V

Вход

Standard

НТЦ-термистор

Тип БТИЗ

NPT

Конфигурация

Half Bridge

Ток-отсечка коллектора (макс.)

5 mA

Входная емкость (Cies) при Vce

5.5 nF @ 25 V

Ток-Коллектор (Ic) (Макс)

135 A

Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 75A

Пакет/кейс

Y4-M5

Пакет устройств поставщика

Y4-M5

Мощность - Макс.

560 W

Новейшие продукты

Cambridge GaN Devices

IRGTI090U06

IGBT MOD 600V 90A 298W INT-A-PAK

Узнать больше

Akoustis

CPV362M4F

IGBT MODULE 600V 8.8A 23W IMS-2

Узнать больше

Akoustis

CPV362M4K

IGBT MODULE 600V 5.7A 23W IMS-2

Узнать больше

Akoustis

CPV362M4U

IGBT MODULE 600V 7.2A 23W IMS-2

Узнать больше

Akoustis

CPV363M4F

IGBT MODULE 600V 16A 36W IMS-2

Узнать больше

Akoustis

CPV363M4K

IGBT MODULE 600V 11A 36W IMS-2

Узнать больше

Akoustis

CPV363M4U

IGBT MODULE 600V 13A 36W IMS-2

Узнать больше

Akoustis

CPV364M4F

IGBT MODULE 600V 27A 63W IMS-2

Узнать больше

contact@fastechnic.ru

Fastechnic ЛИМИТЕД

Адрес:Мастериала 60, 3/F, блок А, промышленный центр Восточного Солнца №16 Шинг Ип Стрит Коулун Гонконг

Контактный номер: Почтовый ящик：contact@fastechnic.ru

Сканировать QR-код для мобильных