Рабочая Температура
-20°C ~ 125°C (TJ)
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C
80mA
Vgs(th) (Макс) @ Id
1.2V @ 250µA
Напряжение стока к источнику (Vdss)
600V
Пакет/кейс
8-DIP (0.300", 7.62mm), 7 Leads
Пакет устройств поставщика
8-PDIP-7B
Конфигурация
3 N-Channel, Common Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs
190Ohm @ 10mA, 10V