IXGH32N60B

Главная страница Продуктовый центр Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы БТИЗ Одиночные IGBT

IXGH32N60B

Номер запчасти

IXGH32N60B

Классификация продуктов

Одиночные IGBT

Производитель

Delevan

Описание

IGBT 600V 60A 200W TO247AD

Пакет

Упаковка

Количество

1600

Состояние RoHS

PDF：

Запрос цены

Запасы

Количество

Отправить запрос

Количество

Цены

Общая стоимость

Получение информации о предложениях

Параметры продукции

Тип монтажа

Through Hole

Мощность - Макс.

200 W

Рабочая Температура

-55°C ~ 150°C (TJ)

Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.)

600 V

Тип ввода

Standard

Пакет/кейс

TO-247-3

Пакет устройств поставщика

TO-247AD

Ток-Коллектор (Ic) (Макс)

60 A

Ток-коллекторный импульсный (Icm)

120 A

Заряд от ворот

125 nC

Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 32A

Условия испытания

480V, 32A, 4.7Ohm, 15V

Td (вкл/выкл) при 25°C

25ns/100ns

Переключение энергии

800µJ (off)

Новейшие продукты

Cambridge GaN Devices

IRGPC40UD2

IGBT W/DIODE 600V 40A TO-247AC

Узнать больше

Cambridge GaN Devices

IRGBC30UD2

IGBT W/DIODE 600V 23A TO-220AB

Узнать больше

Cambridge GaN Devices

IRGBC20FD2

IGBT W/DIODE 600V 16A TO-220AB

Узнать больше

Cambridge GaN Devices

IRGPF50F

IGBT FAST 900V 51A TO-247AC

Узнать больше

Cambridge GaN Devices

IRGPC50F

IGBT FAST 600V 70A TO-247AC

Узнать больше

Cambridge GaN Devices

IRGBC40S

IGBT STD 600V 50A TO-220AB

Узнать больше

Cambridge GaN Devices

IRGBC30S

IGBT STD 600V 34A TO-220AB

Узнать больше

Cambridge GaN Devices

IRGPC50UD2

IGBT W/DIODE 600V 55A TO-247AC

Узнать больше

contact@fastechnic.ru

Fastechnic ЛИМИТЕД

Адрес:Мастериала 60, 3/F, блок А, промышленный центр Восточного Солнца №16 Шинг Ип Стрит Коулун Гонконг

Контактный номер: Почтовый ящик：contact@fastechnic.ru

Сканировать QR-код для мобильных