IRGIB4630DPBF

Главная страница Продуктовый центр Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы БТИЗ Одиночные IGBT

IRGIB4630DPBF

Номер запчасти

IRGIB4630DPBF

Классификация продуктов

Одиночные IGBT

Производитель

International Rectifier

Описание

IGBT WITH RECOVERY DIODE

Пакет

Tube

Упаковка

Количество

4650

Состояние RoHS

PDF：

Запрос цены

Запасы

Количество

Отправить запрос

Количество

Цены

Общая стоимость

Получение информации о предложениях

Параметры продукции

Тип монтажа

Through Hole

Рабочая Температура

-40°C ~ 175°C (TJ)

Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.)

600 V

Тип ввода

Standard

Пакет/кейс

TO-220-3 Full Pack

Время обратного восстановления (trr)

100 ns

Тип БТИЗ

NPT

Пакет устройств поставщика

PG-TO220 Full Pack

Заряд от ворот

35 nC

Ток-Коллектор (Ic) (Макс)

47 A

Ток-коллекторный импульсный (Icm)

54 A

Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic

1.95V @ 15V, 18A

Мощность - Макс.

206 W

Переключение энергии

95µJ (on), 350µJ (off)

Td (вкл/выкл) при 25°C

40ns/105ns

Условия испытания

400V, 18A, 22Ohm, 15V

Новейшие продукты

Cambridge GaN Devices

IRGPC40UD2

IGBT W/DIODE 600V 40A TO-247AC

Узнать больше

Cambridge GaN Devices

IRGBC30UD2

IGBT W/DIODE 600V 23A TO-220AB

Узнать больше

Cambridge GaN Devices

IRGBC20FD2

IGBT W/DIODE 600V 16A TO-220AB

Узнать больше

Cambridge GaN Devices

IRGPF50F

IGBT FAST 900V 51A TO-247AC

Узнать больше

Cambridge GaN Devices

IRGPC50F

IGBT FAST 600V 70A TO-247AC

Узнать больше

Cambridge GaN Devices

IRGBC40S

IGBT STD 600V 50A TO-220AB

Узнать больше

Cambridge GaN Devices

IRGBC30S

IGBT STD 600V 34A TO-220AB

Узнать больше

Cambridge GaN Devices

IRGPC50UD2

IGBT W/DIODE 600V 55A TO-247AC

Узнать больше

contact@fastechnic.ru

Fastechnic ЛИМИТЕД

Адрес:Мастериала 60, 3/F, блок А, промышленный центр Восточного Солнца №16 Шинг Ип Стрит Коулун Гонконг

Контактный номер: Почтовый ящик：contact@fastechnic.ru

Сканировать QR-код для мобильных