IRGBC30FD2

Главная страница Продуктовый центр Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы БТИЗ Одиночные IGBT

IRGBC30FD2

Номер запчасти

IRGBC30FD2

Классификация продуктов

Одиночные IGBT

Производитель

Cambridge GaN Devices

Описание

IGBT W/DIODE 600V 31A TO-220AB

Пакет

Упаковка

Количество

1600

Состояние RoHS

PDF：

Запрос цены

Запасы

Количество

Отправить запрос

Количество

Цены

Общая стоимость

Получение информации о предложениях

Параметры продукции

Тип монтажа

Through Hole

Мощность - Макс.

100 W

Рабочая Температура

-55°C ~ 150°C (TJ)

Пакет устройств поставщика

TO-220AB

Пакет/кейс

TO-220-3

Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.)

600 V

Тип ввода

Standard

Ток-Коллектор (Ic) (Макс)

31 A

Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 17A

Новейшие продукты

Cambridge GaN Devices

IRGPC40UD2

IGBT W/DIODE 600V 40A TO-247AC

Узнать больше

Cambridge GaN Devices

IRGBC30UD2

IGBT W/DIODE 600V 23A TO-220AB

Узнать больше

Cambridge GaN Devices

IRGBC20FD2

IGBT W/DIODE 600V 16A TO-220AB

Узнать больше

Cambridge GaN Devices

IRGPF50F

IGBT FAST 900V 51A TO-247AC

Узнать больше

Cambridge GaN Devices

IRGPC50F

IGBT FAST 600V 70A TO-247AC

Узнать больше

Cambridge GaN Devices

IRGBC40S

IGBT STD 600V 50A TO-220AB

Узнать больше

Cambridge GaN Devices

IRGBC30S

IGBT STD 600V 34A TO-220AB

Узнать больше

Cambridge GaN Devices

IRGPC50UD2

IGBT W/DIODE 600V 55A TO-247AC

Узнать больше

contact@fastechnic.ru

Fastechnic ЛИМИТЕД

Адрес:Мастериала 60, 3/F, блок А, промышленный центр Восточного Солнца №16 Шинг Ип Стрит Коулун Гонконг

Контактный номер: Почтовый ящик：contact@fastechnic.ru

Сканировать QR-код для мобильных