• image of РЧ полевые транзисторы, МОП-транзисторы>IGN1011L70
  • image of РЧ полевые транзисторы, МОП-транзисторы>IGN1011L70
:
:

1

$237.7312

$237.7312

15

$227.6848

$3,415.2720

image of РЧ полевые транзисторы, МОП-транзисторы>IGN1011L70
image of РЧ полевые транзисторы, МОП-транзисторы>IGN1011L70
IGN1011L70
IGN1011L70
РЧ полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Integra Technologies
RF MOSFET GAN HEMT 50V PL32A2
-
Масса
11
1
Продукты параметры
PDF(1)
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительIntegra Technologies
Ряд-
УпаковкаМасса
Статус продуктаACTIVE
Пакет/кейсPL32A2
Тип монтажаChassis Mount
Частота1.03GHz ~ 1.09GHz
Выходная мощность80W
Прирост22dB
ТехнологииGaN HEMT
Пакет устройств поставщикаPL32A2
Напряжение - номинальное120 V
Напряжение - Тест50 V
Текущий — Тест22 mA
captcha
0
0.385471s