• image of JFET-транзисторы>CP226V-2N4392-CT
  • image of JFET-транзисторы>CP226V-2N4392-CT
CP226V-2N4392-CT
JFET N-CH 40V 50MA DIE
-
Поднос
400
image of JFET-транзисторы>CP226V-2N4392-CT
image of JFET-транзисторы>CP226V-2N4392-CT
CP226V-2N4392-CT
CP226V-2N4392-CT
JFET-транзисторы
Central Semiconductor
JFET N-CH 40V 50MA DIE
-
Поднос
0
1
Продукты параметры
PDF(1)
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительCentral Semiconductor
Ряд-
УпаковкаПоднос
Статус продуктаACTIVE
Пакет/кейсDie
Тип монтажаSurface Mount
Рабочая Температура-65°C ~ 175°C (TJ)
Тип полевого транзистораN-Channel
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds20pF @ 20V
Напряжение – пробоя (В(BR)GSS)40 V
Текущее потребление (Id) — Макс.50 mA
Пакет устройств поставщикаDie
Напряжение стока к источнику (Vdss)40 V
Мощность - Макс.1.8 W
Сопротивление - RDS(Вкл.)60 Ohms
Напряжение — отсечка (VGS выключена) @ Id2 V @ 1 nA
Ток-Сток (Idss) @ Vds (Vgs=0)25 mA @ 20 V
captcha
0
0.662068s