• image of Память>BY25D16ASSJG(R)
  • image of Память>BY25D16ASSJG(R)
BY25D16ASSJG(R)
16 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -4
-
Лента и катушка (TR)
4000
:
:

4000

$0.2576

$1,030.4000

8000

$0.2352

$1,881.6000

12000

$0.2240

$2,688.0000

28000

$0.2128

$5,958.4000

image of Память>BY25D16ASSJG(R)
image of Память>BY25D16ASSJG(R)
BY25D16ASSJG(R)
BY25D16ASSJG(R)
Память
BYTe Semiconductor
16 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -4
-
Лента и катушка (TR)
0
1
Продукты параметры
PDF(1)
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительBYTe Semiconductor
Ряд-
УпаковкаЛента и катушка (TR)
Статус продуктаACTIVE
Пакет/кейс8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Тип монтажаSurface Mount
Объем памяти16Mbit
Тип памятиNon-Volatile
Рабочая Температура-40°C ~ 105°C (TA)
Напряжение питания2.7V ~ 3.6V
ТехнологииFLASH - NOR (SLC)
Тактовая частота108 MHz
Формат памятиFLASH
Пакет устройств поставщика8-SOP
Время цикла записи — Word, Page2.4ms
Интерфейс памятиSPI - Dual I/O
Время доступа7 ns
Организация памяти2M x 8
captcha
0
0.655995s