Технологии
SiC (Silicon Carbide) Schottky
Скорость
No Recovery Time > 500mA (Io)
Рабочая температура - соединение
-55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)
1200 V
Ток – обратная утечка @ Vr
10 µA @ 1200 V
Пакет устройств поставщика
TO-247-2
Напряжение – вперед (Vf) (Макс) @ If
1.85 V @ 20 A
Current - Average Rectified (Io)
54A
Capacitance @ Vr, F
12pF @ 0V, 100kHz